30.01.2019 Модули памяти DDR5 от SK Hynix появятся на рынке в 2020 году
В 2018 году компания SK Hynix создала рабочий прототип чипа памяти DDR5 DRAM ёмкостью 16 Гбит (2 ГБ), который обеспечивает скорость передачи данных 5200 Мбит/с и работает при напряжении питания 1,1 В. Модуль памяти на базе таких чипов способен обеспечивать пропускную способность на уровне 41,6 Гб/с.
Чип соответствует требованиям стандартов JEDEC, а его для изготовления используется технологический процесс 10-нанометрового класса (1Ynm). В новых чипах SK Hynix снизила рабочее напряжение питания с 1,2 В до 1,1 В, благодаря этому стало возможным достичь снижения энергопотребления на 30% по сравнению с памятью DDR4. При этом производительность новых чипов памяти на 60% превышает возможности чипов предыдущего поколения, имеющих скорость передачи данных равную 3200 Мбит/с.
В компании SK Hynix в настоящее время уже рассматривают несколько концепций продуктов, которые придут после DDR5. Один из таких концептов предусматривает дальнейшее следование тенденции увеличения пропускной способности передачи данных. Но есть и альтернативное предложение, предусматривающее объединение технологии DRAM с технологией систем-на-чипе, как в процессорах. Какой-либо дополнительной информации об этом концепте пока нет. Однако можно предположить, что инженеры SK Hynix хотят реализовать концепцию вычислений в памяти или же сделать оперативную память компонентом процессора.
SK Hynix разрабатывает собственные инновации, которые могут сделать её чипы DDR5 более продвинутыми по сравнению с решениями конкурентов, не выходя при этом за рамки стандарта. Ким Донг-Кьюн также сообщил, что разработка стандарта памяти DDR6 для ПК уже ведётся, основной целью при этом является удвоение пропускной способности и плотности по сравнению с DDR5.
Компания намерена приступить к массовому производству новых чипов памяти DDR5 DRAM с 2020 года - к тому времени рынок созреет к использованию памяти нового стандарта. Об этом заявляет вице-президент SK Hynix Джухван Чо. По данным аналитической компании IDC, спрос на память DDR5 начнёт увеличиваться с 2020 года до 25% от общего объёма памяти DRAM в 2021 году и до 44% - в 2022 году.
Стоит отметить, что достижения в области DRAM используются не только в компьютерах, но также и в мобильных устройствах, а также в электронных системах для самоуправляемых автомобилей.
Чип соответствует требованиям стандартов JEDEC, а его для изготовления используется технологический процесс 10-нанометрового класса (1Ynm). В новых чипах SK Hynix снизила рабочее напряжение питания с 1,2 В до 1,1 В, благодаря этому стало возможным достичь снижения энергопотребления на 30% по сравнению с памятью DDR4. При этом производительность новых чипов памяти на 60% превышает возможности чипов предыдущего поколения, имеющих скорость передачи данных равную 3200 Мбит/с.
В компании SK Hynix в настоящее время уже рассматривают несколько концепций продуктов, которые придут после DDR5. Один из таких концептов предусматривает дальнейшее следование тенденции увеличения пропускной способности передачи данных. Но есть и альтернативное предложение, предусматривающее объединение технологии DRAM с технологией систем-на-чипе, как в процессорах. Какой-либо дополнительной информации об этом концепте пока нет. Однако можно предположить, что инженеры SK Hynix хотят реализовать концепцию вычислений в памяти или же сделать оперативную память компонентом процессора.
SK Hynix разрабатывает собственные инновации, которые могут сделать её чипы DDR5 более продвинутыми по сравнению с решениями конкурентов, не выходя при этом за рамки стандарта. Ким Донг-Кьюн также сообщил, что разработка стандарта памяти DDR6 для ПК уже ведётся, основной целью при этом является удвоение пропускной способности и плотности по сравнению с DDR5.
Компания намерена приступить к массовому производству новых чипов памяти DDR5 DRAM с 2020 года - к тому времени рынок созреет к использованию памяти нового стандарта. Об этом заявляет вице-президент SK Hynix Джухван Чо. По данным аналитической компании IDC, спрос на память DDR5 начнёт увеличиваться с 2020 года до 25% от общего объёма памяти DRAM в 2021 году и до 44% - в 2022 году.
Стоит отметить, что достижения в области DRAM используются не только в компьютерах, но также и в мобильных устройствах, а также в электронных системах для самоуправляемых автомобилей.
Компьютерная память стандарта DDR5 будет представлена на рынке в 2020 году. По словам научного сотрудника компании SK Hynix Ким Донг-Кьюна (Kim Dong-Kyun), первыми в продажу поступят модули оперативной памяти DDR5-5200, обеспечивающие 2-кратный прирост пропускной способности по сравнению с DDR4-2666. DDR5 является стандартом памяти DRAM следующего поколения, который обеспечивает более высокую скорость работы, увеличенную плотность хранения данных и сниженное энергопотребление по сравнению с нынешним стандартом DDR4.