19.07.2018 Samsung анонсировала 10-нм память стандарта LPDDR5 DRAM
Модули памяти LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Это в 1,5 раза быстрее, чем у чипов LPDDR4X (скорость до 4266 Мбит/с), которые используются в флагманских смартфонах. Благодаря существенному приросту скорости, память LPDDR5 способна передавать до 51,2 Гб данных в секунду, что соответствует 14 видеофайлам в Full HD качестве размером 3,7 Гб каждый.
Новые чипы смогут работать в двух скоростных режимах - полноценном 6400 Мбит/с при напряжении питания 1,1 В или же более экономичном 5500 Мбит/с при напряжении питания 1,05 В.
Модули памяти LPDDR5 смогут самостоятельно снижать потребление энергии с учетом текущих требований центрального процессора к скорости передачи данных. Чипы также поддерживают режим глубокого сна (DSM "deep sleep mode") при котором энергопотребление по сравнению с режимом ожидания ("idle mode") чипов LPDDR4X, снижается вдвое. Благодаря этому, а также целому ряду других архитектурных решений, суммарное энергопотребление памяти LPDDR5 примерно на треть меньше, чем у модулей предыдущего поколения.
В Samsung Electronics отметили, что специалисты компании полностью завершили функциональное тестирование и проверку прототипов микросхем LPDDR5 DRAM емкостью 8 Гб, состоящей из 8 чипов 8 Гб LPDDR5. Массовое производство данных микросхем стартует на фабриках компании в Пхёнтхэке (провинция Кёнгидо, Южная Корея) после получения соответствующих заказов от крупных производителей гаджетов. Дебют новых микросхем ОЗУ стандарта LPDDR5 возможен уже в следующих флагманах от Samsung, и, возможно, новых iPhone.
Совсем недавно Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения, предназначенных для смартфонов и суперкомпьютеров. Также ожидается, что Samsung и ARM в ближайшее время выпустят 7-нм мобильные процессоры Cortex-A76 с рабочей частотой от 3,0 ГГц и выше.
Новые чипы смогут работать в двух скоростных режимах - полноценном 6400 Мбит/с при напряжении питания 1,1 В или же более экономичном 5500 Мбит/с при напряжении питания 1,05 В.
Модули памяти LPDDR5 смогут самостоятельно снижать потребление энергии с учетом текущих требований центрального процессора к скорости передачи данных. Чипы также поддерживают режим глубокого сна (DSM "deep sleep mode") при котором энергопотребление по сравнению с режимом ожидания ("idle mode") чипов LPDDR4X, снижается вдвое. Благодаря этому, а также целому ряду других архитектурных решений, суммарное энергопотребление памяти LPDDR5 примерно на треть меньше, чем у модулей предыдущего поколения.
В Samsung Electronics отметили, что специалисты компании полностью завершили функциональное тестирование и проверку прототипов микросхем LPDDR5 DRAM емкостью 8 Гб, состоящей из 8 чипов 8 Гб LPDDR5. Массовое производство данных микросхем стартует на фабриках компании в Пхёнтхэке (провинция Кёнгидо, Южная Корея) после получения соответствующих заказов от крупных производителей гаджетов. Дебют новых микросхем ОЗУ стандарта LPDDR5 возможен уже в следующих флагманах от Samsung, и, возможно, новых iPhone.
Совсем недавно Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения, предназначенных для смартфонов и суперкомпьютеров. Также ожидается, что Samsung и ARM в ближайшее время выпустят 7-нм мобильные процессоры Cortex-A76 с рабочей частотой от 3,0 ГГц и выше.
Корейская компания Samsung Electronics анонсировала скорый выход первых модулей оперативной памяти стандарта LPDDR5 DRAM, выполненных по 10-нм техпроцессу. Новые модули ОЗУ будут использоваться в смартфонах с поддержкой сетей 5G и искусственного интеллекта. LPDDR5 будут обеспечивать более высокую скорость и автономность.
Новые модули LPDDR5 емкостью 8 Гб, дополнят существующую линейку DRAM-памяти, в состав которой уже входят существующие 10-нм модули 16 Гб GDDR6 DRAM и 16 Гб DDR5 DRAM.
Новые модули LPDDR5 емкостью 8 Гб, дополнят существующую линейку DRAM-памяти, в состав которой уже входят существующие 10-нм модули 16 Гб GDDR6 DRAM и 16 Гб DDR5 DRAM.